相关参数：
| 项目 | 描述 |
| SE分辨率 | 3.0nm (30kV)，高真空模式 / 10nm (3kV), 高真空模式 |
| BSE分辨率 | 4.0nm (30kV)，低真空模式 |
| 放大倍率 | x5 ~ x300,000 |
| 加速电压 | 0.3 ~ 30 kV |
| 低真空范围 | 6 ~ 270 Pa |
| 最大样品尺寸 | 直径200mm |
| 样品台 | I型 II型 |
| X | 0 ~ 80mm 0 ~ 100mm |
| Y | 0 ~ 40mm 0 ~ 50mm |
| Z | 5 ~ 35mm 5 ~ 65mm |
| R | 360o 360o |
| T | -20o~ +90o -20o ~ +90o |
| T | -20o~ +90o -20o ~ +90o |
| 最大样品高度 | 35mm (WD=10mm) 80mm (WD=10mm) |
| 驱动类型 | 手动 五轴马达驱动 |
| 灯丝 | 预对中钨灯丝 |
| 物镜光栏 | 可移动式4孔物镜光栏 |
| 枪偏压 | 固定比例偏压、手动偏压和自动4偏 |
| 检测器 | 二次电子检测器 高灵敏度半导体背散射电子检测器 |
| 分析位置 | WD=10mm, TOA=35o |
| 控制 | 鼠标、键盘，手动旋钮 |
| 自动调校 | 自动灯丝饱和、自动4偏压、自动枪对中、自动束流设定、自动合轴、自动聚焦 消像散、自动亮度对比度 |
详细说明
1. S-3400N具有强大的自动功能，包括自动灯丝饱和、4偏压、自动枪对中、自动束流设定、
自动合轴自动聚焦和消像散、自动亮度对比度等。
2. 在3kV低加速电压时保证有10nm的分辨率。
3. 新型5分割高灵敏半导体式背散射探头。
4. S-3400N II型具有五轴马达台，倾斜角度可达-20度~+90度，样品最高可达80mm。
5. 分析样品仓可以同时安装EDX ， WDX 及EBSD。
6. 真空系统使用涡轮分子泵，洁净、高效
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