专门为电子束敏感样品和需300万倍稳定观察的半导体器件，高分辨成像所设计。
特点
- 新的电子枪和电子光学设计提高了低加速电压性能。
0.4 nm / 30 kV (SE)
1.2 nm / 1 kV (SE)
0.34 nm / 30 kV (STEM) - 用改良的高真空性能和电子束稳定性来实现高效率截面观察。
- 采用全新设计的Super E x B能量过滤技术，高效，灵活地收集SE / BSE/ STEM信号。
| 项目 | 技术指标 | |||
| 二次电子分辨率 | 0.4nm （加速电压30kV，放大倍率80万倍） | |||
| 1.2nm （加速电压1kV，放大倍率25万倍） | ||||
| STEM分辨率 | 0.34nm（加速电压30kV，晶格象） | |||
| 观测倍率 | 底片输出 | 显示器输出 | ||
| LM模式 | 80~10,000x | 220~25,000x | ||
| HM模式 | 800~3,000,000x | 2,200~8,000,000x | ||
| 样品台 | 侧插式样品杆 | |||
| 样品移动行程 | X | ±4.0mm | ||
| Y | ±2.0mm | |||
| Z | ±0.3mm | |||
| T | ±40度 | |||
| 标准样品台 | 平面样品台：5.0mm×9.5mm×3.5mmH | |||
| 截面样品台：2.0mm×6.0mm×5.0mmH | ||||
| 专用样品台 | 截面样品台：2.0mm×12.0mm×6.0mmH | |||
| 双倾截面样品台：0.8mm×8.5mm×3.5mmH | ||||
| 信号检测器 | 二次电子探测器 | |||
| TOP 探测器（选配） | ||||
| BF/DF 双STEM探测器（选配） | ||||
应用领域：
1. 半导体器件
2. 高分子材料
3. 纳米材料
4. 生命科学
